韓國檢方本月控告一名三星電子前高層竊取商業機密擬在中國「復刻」三星晶片廠，路透社引述起訴書報導，嫌犯正是韓國半導體業知名人物崔珍奭，他是為了替鴻海蓋 20 奈米 DRAM 廠。
韓國檢方 12 日宣布，將現年 65 歲的三星電子（ Samsung Electronics ）前常務 A 某提出拘留起訴，指控他涉嫌收受中資，意圖在中國境內建設「復刻版」三星電子半導體廠，違反產業技術保護法、防治不當競爭法等罪名。
韓檢當時表示，A某涉嫌在 2018 年8月至 2019 年間不當取得、使用三星電子半導體廠的設計基本資料（ BED ）與工廠配置圖、設計圖等商業機密，設計 30 奈米以下等級、 DRAM 與 NAND 快閃記憶體等被韓國政府定為國家核心技術的製造技術。
A 某規劃建設的工廠甚至距離三星電子西安廠僅 1.5 公里遠，但建廠計畫受原訂來自台灣企業的資金未到位影響未能實現。
如今根據路透社見過未曾對外公布的 18 頁起訴書，這名被告正是也曾擔任過韓國另家半導體大廠 SK 海力士（ SK Hynix ）副社長的崔珍奭，他後來創辦的新加坡顧問公司碁諾半導體（ Jin Semiconductor ），在 2018 年8月拿下替鴻海在中國打造半導體製造廠的合約。
路透社指出，崔珍奭一度被視為韓國晶片產業的明星，他曾在三星工作 17 年，期間開發了 DRAM 記憶體晶片，並參與晶圓製程科技研發，還因推進三星 DRAM 晶片技術而在公司內部獲獎。
崔珍奭 2001 年被三星對手 SK 海力士挖角，並任職8年多。他在 SK 海力士擔任製造和研發部門的技術長，協助公司由虧轉盈。
起訴書指出，崔珍奭贏得鴻海合約後，短短幾個月內從三星和其子公司挖走了「大量」人才，並從 2 家三星的承包商非法取得與建造一座晶片工廠有關的機密資料。
起訴書表示，碁諾半導體違法利用有關半導體無塵室管理的機密資料，這些資料是從承包商之一 Samoo 建築工程公司（ Samoo Architects & Engineers ）的一名員工取得。 Samoo 曾參與 2012 年三星中國西安廠的建造工程。
起訴書還說，崔珍奭的公司從另一家承包商韓美顧樂博（ HanmiGlobal ）的一名員工非法取得三星西安廠的藍圖，韓美顧樂博曾負責這座工廠的建築監工及與晶片製程有關的樓平面圖。
根據起訴書，崔珍奭的公司原本要替鴻海打造的新廠，規劃的產能是以 20 奈米 DRAM 記憶體晶片技術月產 10 萬片晶圓。儘管 20 奈米 DRAM 製程比三星最新的 12 和 14 奈米技術落後數年，但韓國政府仍視為是「國家核心技術」，除非取得許可或透過合夥，否則不得轉移海外。
崔珍奭的律師和一名直接知情人士表示，由於鴻海退出計畫，因此這座工廠從未興建。韓國檢方也未指控鴻海有任何不法行為。
鴻海在提供給路透社的聲明中表示，他們知道韓國這起訴訟的相關傳聞，但對於正在進行中的調查不予置評。
崔珍奭的律師稱，崔珍奭約在 2018 年與鴻海簽下建造晶片廠的初步顧問合約，設廠地點設定在西安；但鴻海一年後就終止合約，並且只支付與計畫有關的薪水。律師婉拒評論鴻海為何終止合約，並以事涉敏感為由不願提供進一步細節。
知情人士則透露，韓國檢方發現，鴻海曾同意提供 8 兆韓元（約新台幣 1914 億元）來建新廠，並已每月支付數百萬美元給碁諾半導體，直到退出合約時才停止。起訴書中也未揭露鴻海退出的原因。
根據碁諾半導體公布的 2018 年財報，這家公司已與「一家大客戶」簽訂 5 年人才供應協議，且這家客戶已支付 1799 萬 4217 美元（約新台幣 5 億 5800 萬元）的預付款。
崔珍奭今年 5 月底被捕遭到關押至今。他透過律師否認一切罪名。
（新聞資料來源 : 中央社）
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